目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)于igbt器件失效的研究眾多，主要從兩方面入手，一方面是考慮器件自身的工作循環(huán)，另一方面是考慮器件的實(shí)際工況環(huán)境，研究表明IGBT失效是由內(nèi)部工作循環(huán)及外部工況同時(shí)作用導(dǎo)致的，其失效機(jī)理復(fù)雜，失效模式主要分為封裝類(lèi)失效及芯片類(lèi)失效，如圖2-2所示。